MOSFET N-CH 100V 15A TO-262
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 15A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 160 毫欧 @ 9A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 28nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 930pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
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