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IRFR9014N

产品描述MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小177KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFR9014N概述

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

IRFR9014N规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)500 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)270pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),25W(Tc)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRFR9014N相似产品对比

IRFR9014N
描述 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 25V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),25W(Tc)
安装类型 表面贴装
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