MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 170pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| IRFR3103TR | IRFR3103 | IRFR3103TRL | IRFR3103TRR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 400V | 400V | 400V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.7A（Ta） | 1.7A（Ta） | 1.7A（Ta） | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1A，10V | 3.6 欧姆 @ 1A，10V | 3.6 欧姆 @ 1A，10V | 3.6 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | 12nC @ 10V | 12nC @ 10V | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 170pF @ 25V | 170pF @ 25V | 170pF @ 25V | 170pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 2.5W（Ta），25W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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