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IRFBE30STRL

产品描述MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小167KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IRFBE30STRL概述

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

IRFBE30STRL规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)78nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1300pF @ 25V
功率耗散(最大值)125W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

IRFBE30STRL相似产品对比

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