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IR2113STR

产品描述IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
产品类别半导体    电源管理   
文件大小325KB,共18页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IR2113STR概述

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC

IR2113STR规格参数

参数名称属性值
驱动配置半桥
通道类型独立式
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源3.3 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH6V,9.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2A,2A
输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V
上升/下降时间(典型值)25ns,17ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装16-SOIC

 
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