IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
参数名称 | 属性值 |
驱动配置 | 半桥 |
通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 电源 | 3.3 V ~ 20 V |
逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A |
输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
上升/下降时间(典型值) | 25ns,17ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
供应商器件封装 | 16-SOIC |
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