MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 260 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V |
最大漏极电流 (ID) | 23 A |
最大漏源导通电阻 | 0.09 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 92 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IRFS23N15D | IRFSL23N15D | IRFS23N15DTRRPBF | |
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描述 | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
Reach Compliance Code | compliant | - | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 260 mJ | - | 260 mJ |
外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V | - | 150 V |
最大漏极电流 (ID) | 23 A | - | 23 A |
最大漏源导通电阻 | 0.09 Ω | - | 0.09 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 | - | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 2 | - | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | - | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 92 A | - | 92 A |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | YES | - | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | MATTE TIN OVER NICKEL |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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