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IRF3707S: 产品描述MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小145KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRF3707S概述

MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

IRF3707S规格参数

参数名称	属性值
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	12.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	19nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1990pF @ 15V
功率耗散（最大值）	87W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	D2PAK
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

IRF3707S相似产品对比

	IRF3707S	IRF3707L	IRF3707	IRF3707STRL	IRF3707STRR
描述	MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK	MOSFET N-CH 30V 62A TO-262	MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB	MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK	MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
FET 类型	N 沟道	N 沟道	N 沟道	N 沟道	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）	MOSFET（金属氧化物）	MOSFET（金属氧化物）	MOSFET（金属氧化物）	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V	30V	30V	30V	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	62A（Tc）	62A（Tc）	62A（Tc）	62A（Tc）	62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V	4.5V，10V	4.5V，10V	4.5V，10V	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	12.5 毫欧 @ 15A，10V	12.5 毫欧 @ 15A，10V	12.5 毫欧 @ 15A，10V	12.5 毫欧 @ 15A，10V	12.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	19nC @ 4.5V	19nC @ 4.5V	19nC @ 4.5V	19nC @ 4.5V	19nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1990pF @ 15V	1990pF @ 15V	1990pF @ 15V	1990pF @ 15V	1990pF @ 15V
功率耗散（最大值）	87W（Tc）	87W（Tc）	87W（Tc）	87W（Tc）	87W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装	通孔	通孔	表面贴装	表面贴装
供应商器件封装	D2PAK	TO-262	TO-220AB	D2PAK	D2PAK
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA	TO-220-3	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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