MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | PLASTIC, IPAK-3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 100 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 6.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.48 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 26 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRFU9120N | IRFR9120NTRL | IRFR9120NTRR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
| FET 类型 | - | P 沟道 | P 沟道 |
| 技术 | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | - | 100V | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | - | 6.6A（Tc） | 6.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | - | 480 毫欧 @ 3.9A，10V | 480 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 27nC @ 10V | 27nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | - | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V | 350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | - | 40W（Tc） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | - | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | - | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | - | D-Pak | D-Pak |
| 封装/外壳 | - | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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