MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 115 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 44nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 640pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| IRFR3910TRL | IRFU3910 | IRFR3910TRR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16A DPAK | MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK | MOSFET N-CH 100V 16A DPAK |
| FET 类型 | N 沟道 | - | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | - | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 16A（Tc） | - | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | - | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 115 毫欧 @ 10A，10V | - | 115 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 44nC @ 10V | - | 44nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | - | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 640pF @ 25V | - | 640pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） | - | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | - | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | - | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | - | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
微控制器 MCU
嵌入式系统
FPGA/CPLD
51单片机
综合技术交流
DSP 与 ARM 处理器
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
