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IR2151STR

产品描述IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小94KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IR2151STR概述

IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC

IR2151STR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明MS-012AA, SOIC-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FOR NEW DESIGNS, USE IR2153 AND IR21531
高边驱动器YES
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
标称输出峰值电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
电源电压1-最大620 V
电源电压1-Nom12 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3.9 mm

IR2151STR相似产品对比

IR2151STR IR2151S IR2151
描述 IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP
驱动配置 - 半桥 半桥
通道类型 - 同步 同步
驱动器数 - 2 2
栅极类型 - IGBT,N 沟道 MOSFET IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源 - 10 V ~ 20 V 10 V ~ 20 V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) - 125mA,250mA 125mA,250mA
输入类型 - RC 输入电路 RC 输入电路
高压侧电压 - 最大值(自举) - 600V 600V
上升/下降时间(典型值) - 80ns,40ns 80ns,40ns
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 - 表面贴装 通孔
封装/外壳 - 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 - 8-SOIC 8-PDIP
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