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IR2107S

产品描述IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC
产品类别半导体    电源管理   
文件大小412KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IR2107S概述

IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC

IR2107S规格参数

参数名称属性值
驱动配置半桥
通道类型独立式
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)200mA,350mA
输入类型反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V
上升/下降时间(典型值)150ns,50ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

IR2107S相似产品对比

IR2107S IR21074 IR21074S IR2107 IR2107STR
描述 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14-DIP IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14SOIC IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-DIP IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC
驱动配置 半桥 半桥 半桥 半桥 半桥
通道类型 独立式 独立式 独立式 独立式 独立式
驱动器数 2 2 2 2 2
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET IGBT,N 沟道 MOSFET IGBT,N 沟道 MOSFET IGBT,N 沟道 MOSFET IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源 10 V ~ 20 V 10 V ~ 20 V 10 V ~ 20 V 10 V ~ 20 V 10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH 0.8V,2.7V 0.8V,2.7V 0.8V,2.7V 0.8V,2.7V 0.8V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 200mA,350mA 200mA,350mA 200mA,350mA 200mA,350mA 200mA,350mA
输入类型 反相 反相 反相 反相 反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 600V 600V 600V 600V 600V
上升/下降时间(典型值) 150ns,50ns 150ns,50ns 150ns,50ns 150ns,50ns 150ns,50ns
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 通孔 表面贴装 通孔 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 14-DIP(0.300",7.62mm) 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-DIP(0.300",7.62mm) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC 14-DIP 14-SOIC 8-DIP 8-SOIC

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