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RS3M-13

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小63KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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RS3M-13概述

DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

RS3M-13规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容50pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AB,SMC
供应商器件封装SMC
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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RS3A/B - RS3M/B
3.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction
Fast Recovery Time for High Efficiency
Low Forward Voltage Drop and High Current
Capability
Surge Overload Rating to 100A Peak
Ideally Suited for Automatic Assembly
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
B
Dim
A
B
C
D
SMB
Min
3.30
4.06
1.96
0.15
5.00
0.10
0.76
2.00
Max
3.94
4.57
2.21
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
SMC
Min
5.59
6.60
2.75
0.15
7.75
0.10
0.76
2.00
Max
6.22
7.11
3.18
0.31
8.13
0.20
1.52
2.62
A
C
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
Case: Molded Plastic
Terminals: Solder Plated Terminal -
Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
SMB Weight: 0.09 grams (approx.)
SMC Weight: 0.20 grams (approx.)
J
D
E
G
H
J
H
G
E
All Dimensions in mm
AB, BB, DB, GB, JB, KB, MB Suffix Designates SMB Package
A, B, D, G, J, K, M Suffix Designates SMC Package
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@ T
T
= 75°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Maximum Recovery Time (Note 3)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
@ I
F
= 3.0A
@ T
A
= 25°C
@ TA = 125°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
qJT
T
j,
T
STG
RS3
A/AB
50
35
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
RS3
B/BB
100
70
RS3
D/DB
200
140
RS3
G/GB
400
280
3.0
100
1.3
5.0
250
RS3
J/JB
600
420
RS3
K/KB
800
560
RS3
M/MB
1000
700
Unit
V
V
A
A
V
mA
150
50
25
-65 to +150
250
500
ns
pF
K/W
°C
Notes:
1. Thermal resistance: junction to terminal, unit mounted on PC board with 5.0 mm
2
(0.013 mm thick) copper pad as heat sink.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Reverse recovery test conditions: I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A. See figure 5.
DS15005 Rev. E-2
1 of 2
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