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TRS12E65C,S1Q

产品描述DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小175KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TRS12E65C,S1Q概述

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

TRS12E65C,S1Q规格参数

参数名称属性值
二极管类型碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)650V
电流 - 平均整流(Io)12A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.7V @ 12A
速度无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr)0ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流90µA @ 170V
不同 Vr,F 时的电容65pF @ 650V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-2
供应商器件封装TO-220-2L
工作温度 - 结175°C(最大)

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TRS12E65C
SiC Schottky Barrier Diode
TRS12E65C
1. Applications
Power Factor Correction
Solar Inverters
Uninterruptible Power Supplies
DC-DC Converters
2. Features
(1)
(2)
Forward DC current: I
F(DC)
= 12 A
Repetitive peak reverse voltage: V
RRM
= 650 V
3. Packaging and Internal Circuit
1: Cathode
2: Anode
TO-220-2L
4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, T
a
= 25
)
Characteristics
Repetitive peak reverse voltage
Forward DC current
Forward pulse current
I
2
t limit value
Junction temperature
Storage temperature
Mounting torque
Symbol
V
RRM
I
F(DC)
I
FP
I
2
t
T
j
T
stg
TOR
(Note 1)
(Note 2)
Note
Rating
650
12
110
18.0
175
-55 to 175
0.6
Nm
A
2
s
Unit
V
A
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: t = 100
µs
Note 2: f = 50 Hz
Note:
Start of commercial production
1
2013-03
2014-03-17
Rev.5.0
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