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JANTX1N6106A

产品描述T MET BI 500W 10V
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共2页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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JANTX1N6106A概述

T MET BI 500W 10V

JANTX1N6106A规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明O-MALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压9 V
击穿电压标称值10 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压14.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压7.6 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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QPL
500 Watt Axial Leaded TVS
1N6102A
1N6137A
Thru
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804
DESCRIPTION
The 1N61xx series of transient voltage suppressors are
designed to protect military and commercial electronic
equipment from overvoltages caused by lightning, ESD,
EFT, inductive load switching, and EMP. These devices are
constructed using two p-n junction TVS diodes in a back-to-
back configuration, hermetically sealed in a voidless glass
package. The hermetically sealed package provides high
reliability in harsh environmental conditions. TVS diodes
are further characterized by their high surge capability, low
operating and clamping voltages, and a theoretically
instantaneous response time. This makes them ideal for
use as board level protection for sensitive semiconductor
components.
FEATURES:
500 Watts Peak Pulse Power (tp = 10/1000µs)
Voidless hermetically sealed glass package
Metallurgically bonded
High surge capacity
Military & Industrial applications
Available in
JAN, JTX, JTXV
and
JANS
versions
per MIL-S-19500/516
MECHANICAL CHARACTERISTICS:
Hermetically sealed glass package
Tinned copper leads
Marking : P/N, date code, logo
MAXIMUM RATINGS
RATING
Peak Pulse Power (tp = 10 x 1000µs)
Operating Temperature
Storage Temperature
Steady-State Power Dissipation @ TL = 75ºC (3/8”)
SYMBOL
Ppk
Tj
Tstg
PD
VALUE
500
-65 to +175
-65 to +175
3
UNIT
Watts
°C
°C
Watts
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise specified)
DEVICE
TYPE
REVERSE
STAND-OFF
VOLTAGE
V
RWM
1N6102A
1N6103A
1N6104A
1N6105A
1N6106A
1N6107A
1N6108A
1N6109A
1N6110A
1N6111A
1N6112A
1N6113A
1N6114A
1N6115A
1N6116A
1N6117A
1N6118A
1N6119A
1N6120A
1N6121A
1N6122A
1N6123A
1N6124A
1N6125A
1N6126A
1N6127A
1N6128A
1N6129A
1N6130A
1N6131A
1N6132A
1N6133A
1N6134A
1N6135A
1N6136A
1N6137A
(V)
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
REVERSE
LEAKAGE
CURRENT
I
R
(µA)
100
50
20
20
20
20
20
20
20
20
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
MINIMUM
BREAKDOWN
VOLTAGE
V
BR
@ I
T
(V)
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
104.5
114.0
123.5
142.5
152.0
171.0
190.0
TEST
CURRENT
I
T
(mA)
175
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8
8
5
5
MAXIMUM
CLAMPING
VOLTAGE
VC @ I
PP
(V)
10.5
11.2
12.1
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151.3
165.1
178.8
206.3
218.4
245.7
273.0
PEAK PULSE
CURRENT
Ipp
tp = 1ms
(A)
47.6
44.6
41.3
37.3
34.5
32.0
29.6
27.5
23.8
22.4
19.9
18.0
16.4
15.0
13.4
12.0
10.9
10.0
9.3
8.5
7.7
7.1
6.5
5.9
5.1
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
3.0
2.8
2.4
2.3
2.0
1.8
TEMPERATURE
COEFFICIENT
OF V
BR
αVz
% / °C
0.05
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.085
0.085
0.085
0.09
0.09
0.09
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.100
0.105
0.105
0.105
0.110
0.110
MAXIMUM
REVERSE
LEAKAGE
CURRENT (Ir2)
TA=+150°C
(A)
4000
750
500
300
200
200
150
150
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
1. Non-A Part has 5% higher clamping voltage, 5% lower minimum breakdown voltage, and 5% lower peak pulse current.
© 1997 SEMTECH CORP.
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320
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