MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 16.4A（Ta），52A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.8 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1670pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.51W（Ta），25.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| NTMFS4C027NT1G | NTMFS4C027NT3G | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN | MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 16.4A（Ta），52A（Tc） | 16.4A（Ta），52A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.8 毫欧 @ 18A，10V | 4.8 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18.2nC @ 10V | 18.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1670pF @ 15V | 1670pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.51W（Ta），25.5W（Tc） | 2.51W（Ta），25.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
