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1808J2500221KXR: 产品描述CAP CER 220PF 250V X7R 1808; 产品类别无源元件; 文件大小554KB，共6页; 制造商Knowles; 官网地址http://www.knowles.com; 标准

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1808J2500221KXR概述

CAP CER 220PF 250V X7R 1808

参数名称	属性值
电容	220pF
容差	±10%
电压 - 额定	250V
温度系数	X7R（2R1）
工作温度	-55°C ~ 125°C
应用	通用
安装类型	表面贴装，MLCC
封装/外壳	1808（4520 公制）
大小/尺寸	0.177" 长 x 0.079" 宽（4.50mm x 2.00mm）
厚度（最大值）	0.079"（2.00mm）
通知	这些产品类型目前有市场需求，因此提前期会变动、延长。提前期可能不同。

谁帮忙看一下这个关于SST39VF040擦除的小问题（附短小的代码）: 下面是SST39VF040 Flash的扇区擦除代码，但是应该是有问题的，我擦除不成功，另外的读写和整片擦除都没有问题，就不贴出来了，哪位仁兄给我瞧瞧问题出在哪里？[code]void Chip_Page_Erase(ulong s_addr){ulong temp_address = 0;Sst39vf040_Oe=0;Sst39vf040_We=1;Address18=0;Address17=...; DIDADI 嵌入式系统

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一些内部定时使用问题: 新接触430有些简单的问题希望深入了解一下。如果我用内部DCO，那么内部总线频率有多可靠？比如我用定时器，定5ms中断一次，我用软件写好后怎么确定我定的准不准，就是我要怎么来测我的定时时间？...; zmsxhy 微控制器 MCU

编址方式（独立编址和统一编址）与结构（哈佛结构和冯.诺依曼结构）有关系吗？: 有些资料上说程序存储器和数据存储器统一编址就是冯.诺依曼结构或普林斯顿体系结构（Freescale的MC68HC05/08），而两者独立编址就是哈弗体系结构(MCS-51)，而到了Microchip，他们说他们的PIC16系列除了采用“哈弗体系结构”（MCS-51），还采用了“哈佛总线结构”。ARM7和Cortex-M3都是内存、外设以及Flash统一编址的，但前者是冯.诺依曼结构，而后者却是哈佛...; lingilngmj 嵌入式系统

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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