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70V3589S133DRGI

产品描述IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
产品类别存储   
文件大小249KB,共23页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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70V3589S133DRGI在线购买

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70V3589S133DRGI概述

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

70V3589S133DRGI规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 双端口,同步
存储容量2Mb (64K x 36)
时钟频率133MHz
访问时间4.2ns
存储器接口并联
电压 - 电源3.15 V ~ 3.45 V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装
封装/外壳208-BFQFP
供应商器件封装208-PQFP(28x28)

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HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V3599/89S
128/64K x 36
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018
Features:
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (12Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz.
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
FT/PIPE
L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
0c 1c
c
0d 1d
d
1d 0d
d
1c 0c
c
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT/PIPE
R
R/W
L
R/W
R
CE
0L
CE
1L
1
0
1/0
B
W
0
L
B
W
1
L
B B B
WWW
2 3 3
L L R
B
W
2
R
B B
WW
1 0
R R
1
0
1/0
CE
0R
CE
1R
OE
L
OE
R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
1d 0d
1c 0c 1b 0b 1a 0a
abcd
0a 1a 0b 1b 0c 1c 0d 1d
0/1
FT/PIPE
L
0/1
FT/PIPE
R
dcba
128K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
16L
(1)
A
0L
REPEAT
L
ADS
L
CNTEN
L
CLK
R
,
A
16R
(1)
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
REPEAT
R
ADS
R
CNTEN
R
5617 tbl 01
TDI
NOTE:
1. A
16
is a NC for IDT70V3589.
JTAG
TDO
TCK
TMS
TRST
JUNE 2018
1
DSC 5617/11
©2018 Integrated Device Technology, Inc.

70V3589S133DRGI相似产品对比

70V3589S133DRGI 70V3599S133BCGI 70V3599S133BFGI
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
存储器类型 易失 易失 易失
存储器格式 SRAM SRAM SRAM
技术 SRAM - 双端口,同步 SRAM - 双端口,同步 SRAM - 双端口,同步
存储容量 2Mb (64K x 36) 4.5Mb (128K x 36) 4.5Mb (128K x 36)
时钟频率 133MHz 133MHz 133MHz
访问时间 4.2ns 4.2ns 4.2ns
存储器接口 并联 并联 并联
电压 - 电源 3.15 V ~ 3.45 V 3.15 V ~ 3.45 V 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) -40°C ~ 85°C(TA) -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 208-BFQFP 256-LBGA 208-LFBGA
供应商器件封装 208-PQFP(28x28) 256-CABGA(17x17) 208-CABGA(15x15)
刚回来的EVM板,编译自带例程时总提示bios版本不兼容怎么回事啊??
大侠指教啊~~ 具体如下: \"c:\\ti\\plugins\\bios\\gconfgen\" led.cdb \"led.cdb\", line 1: error: Version 4.90.270 is not compatible with this version of BIOS. Please open th ......
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