MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 360pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 52.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| GP2M002A060CG | GP2M002A060PG | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | MOSFET N-CH 600V 2A |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2A（Tc） | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 10V | 9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 360pF @ 25V | 360pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 52.1W（Tc） | 52.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | I-PAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
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