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3GH45

产品描述3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小137KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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3GH45概述

3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

3GH45规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用VERY FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流77 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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