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3GWJ2C42

产品描述1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小177KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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3GWJ2C42概述

1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

3GWJ2C42规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流16.5 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

3GWJ2C42相似产品对比

3GWJ2C42 U3GWJ2C42
描述 1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V 0.55 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 16.5 A 16.5 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
表面贴装 NO YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1
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