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3KP13A

产品描述3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小219KB,共3页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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3KP13A概述

3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

3KP13A规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMIKRON
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大击穿电压16 V
最小击穿电压14.4 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压13 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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3 KP 5,0 ... 3 KP 120CA
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Values
Units
Axial lead diode
Unidirectional and
bidirectional Transient
Voltage Suppressor
diodes
3 KP 5,0 ... 3 KP120CA
Pulse Power
Dissipation: 3000 W
Maximum Stand-off
voltage: 5,0 ... 120 V
Features
Mechanical Data
1)
2)
3)
1
12-03-2007 MAM
© by SEMIKRON
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