IFS150B17N3E4P_B11
MIPAQ™baseModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/bereits
aufgetragenemThermalInterfaceMaterial
MIPAQ™basemodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiodeandPressFIT/pre-applied
ThermalInterfaceMaterial
J
V
CES
= 1700V
I
C nom
= 150A / I
CRM
= 300A
TypischeAnwendungen
• Motorantriebe
• USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• NiedrigesV
CEsat
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• IsolierteBodenplatte
• Lötverbindungstechnik
• Standardgehäuse
•
Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
TypicalApplications
• Motordrives
• UPSsystems
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureT
vjop
• LowV
CEsat
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• Isolatedbaseplate
• Soldercontacttechnology
• Standardhousing
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-01-13
IFS150B17N3E4P_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
H
= 80°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1700
150
300
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,20
0,22
0,23
0,03
0,04
0,04
0,40
0,55
0,59
0,09
0,15
0,17
25,0
36,0
39,5
27,0
44,0
49,5
700
5,25
typ.
1,95
2,35
2,45
5,80
1,70
5,0
13,5
0,44
1,0
100
max.
2,30
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,206 K/W
-40
150
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 6,00 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 150 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,24
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,24
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,24
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,24
Ω
6,35
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 150 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4500 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 0,24
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 150 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 0,24
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 1000 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJH
T
vj op
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Datasheet
2
V3.0
2017-01-13
IFS150B17N3E4P_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1700
150
300
3800
3700
typ.
1,80
1,90
1,95
275
280
285
45,0
60,5
68,0
23,0
36,0
40,5
max.
2,20
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,404 K/W
-40
150
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 150 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 150 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 150 A, - di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJH
T
vj op
Strommesswiderstand/Shunt
Nennwiderstand
Ratedresistance
Temperaturkoeffizient
Temperaturecoefficient(tcr)
BetriebstemperaturShunt-Widerstand
Operationtemperatureshunt-resistor
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
T
c
= 20°C
20°C - 60°C
T
tvjop
R
thJH
R
20
min.
typ.
1,50
< 30
max.
mΩ
ppm/K
200
9,7
°C
K/W
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
NTC
= 25°C
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
NTC
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V3.0
2017-01-13
IFS150B17N3E4P_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Gewicht
Weight
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
H
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
T
BPmax
M
G
3,00
300
-40
3,4
Cu
Al
2
O
3
10,0
7,5
> 200
typ.
20
2,50
125
125
6,00
max.
nH
mΩ
°C
°C
Nm
g
kV
mm
mm
Datasheet
4
V3.0
2017-01-13
IFS150B17N3E4P_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
300
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
250
250
200
200
I
C
[A]
150
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
150
100
100
50
50
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=0.24Ω,R
Goff
=0.24Ω,V
CE
=900V
110
100
90
80
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
250
200
70
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
60
50
40
30
I
C
[A]
150
100
50
20
10
0
0
0
50
100
150
I
C
[A]
200
250
300
Datasheet
5
V3.0
2017-01-13
消费电子
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