MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 9A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2100pF @ 6V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（3x2） |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
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