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MUR480GP-TP

产品描述DIODE GEN PURP 800V 4A DO201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小545KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MUR480GP-TP在线购买

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MUR480GP-TP概述

DIODE GEN PURP 800V 4A DO201AD

MUR480GP-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)800V
电流 - 平均整流(Io)4A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.85V @ 4A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容50pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-201AD,轴向
供应商器件封装DO-201AD
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MUR405GP
THRU
MUR4100GP
4 Amp Ultra Fast
Recovery Rectifier
50 to 1000 Volts
DO-201AD
Features


Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
High Surge Capability
Low Leakage and Low Forward Voltage Drop
Ultra Fast Switching Speed For High Efficiency
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
o
Typical Thermal Resistance 20 C/W
Moisture Sensitivity Level 1
Device
Marking
Maximum
Maximum
Recurrent
RMS
Peak Reverse Voltage
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
I
F(AV)
I
FSM
4.0A
150A
35V
70V
105V
140V
280V
420V
550V
700V
T
A
= 55°C
8.3ms, half sine
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
MCC
Catalog
Number
D
MUR405GP MUR405G
MUR410GP MUR410G
MUR415GP MUR415G
MUR420GP MUR420G
MUR440GP MUR440G
MUR460GP MUR460G
MUR480GP MUR480G
MUR4100GP
MUR4100G
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
MUR405GP-415GP
MUR420GP-460GP
MUR480GP-4100GP
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
C
DIMENSIONS
V
F
1.00V
1.35V
1.85V
I
FM
= 4.0A;
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100
o
C
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
MUR405GP-415GP
MUR420GP-460GP
MUR480GP-4100GP
I
R
10μA
50μA
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
.287
.189
.048
1.000
MAX
.374
.208
.052
---
MM
MIN
7.30
4.80
1.20
25.40
MAX
9.50
5.30
1.30
---
NOTE
Trr
45ns
60ns
75ns
80pF
50pF
Typical Junction
Capacitance
MUR405GP-460GP
MUR480GP-4100GP
C
J
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision: A
www.mccsemi.com
1 of 3
2014/04/08

MUR480GP-TP相似产品对比

MUR480GP-TP MUR410GP-TP MUR420GP-TP MUR460GP-TP MUR405GP-TP MUR415GP-TP MUR440GP-TP MUR4100GP-TP
描述 DIODE GEN PURP 800V 4A DO201AD DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 800V 100V 200V 600V 50V 150V 400V 100V
电流 - 平均整流(Io) 4A 4A 4A 4A 4A 4A 4A 4A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.85V @ 4A 1V @ 4A 1.35V @ 4A 1.35V @ 4A 1V @ 4A 1V @ 4A 1.35V @ 4A 1.85V @ 4A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 75ns 45ns 60ns 60ns 45ns 45ns 60ns 75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 600V 10µA @ 100V 10µA @ 200V 10µA @ 600V 10µA @ 50V 10µA @ 150V 10µA @ 400V 10µA @ 100V
不同 Vr,F 时的电容 50pF @ 4V,1MHz 80pF @ 4V,1MHz 80pF @ 4V,1MHz 80pF @ 4V,1MHz 80pF @ 4V,1MHz 80pF @ 4V,1MHz 80pF @ 4V,1MHz 50pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向 DO-201AD,轴向
供应商器件封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
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