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NTE37

产品描述Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier, High Current Switch
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共2页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
标准
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NTE37概述

Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier, High Current Switch

NTE37规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NTE
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压140 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值100 W
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)15 MHz

NTE37相似产品对比

NTE37 NTE36
描述 Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier, High Current Switch Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier, High Current Switch
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NTE NTE
零件包装代码 TO-3P TO-3P
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A 12 A
集电极-发射极最大电压 140 V 140 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP NPN
功耗环境最大值 100 W 100 W
最大功率耗散 (Abs) 100 W 100 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 15 MHz 15 MHz

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