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CMDD4448 TR

产品描述DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小430KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMDD4448 TR概述

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

CMDD4448 TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)75V
电流 - 平均整流(Io)250mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 100mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流25nA @ 20V
不同 Vr,F 时的电容4pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-76,SOD-323
供应商器件封装SOD-323
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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CMDD4448
SURFACE MOUNT
HIGH SPEED SILICON
SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD4448 type is
a ultra-high speed silicon switching diode manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
SUPERmini
TM
surface mount package, designed for
high speed switching applications.
MARKING CODE: 44
SOD-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
75
100
250
500
4.0
1.0
275
-65 to +175
545
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
BVR
BVR
VF
VF
CT
trr
VR=20V
IR=5.0μA
IR=100μA
IF=5.0mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
75
100
0.62
MAX
25
UNITS
nA
V
V
V
V
pF
ns
0.72
1.0
4.0
4.0
R6 (8-January 2010)

 
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