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CMHD2003 TR: 产品描述DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小436KB，共3页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMHD2003 TR概述

DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123

CMHD2003 TR规格参数

参数名称	属性值
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	250V
电流 - 平均整流（Io）	200mA
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1V @ 100mA
速度	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）	50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	100nA @ 200V
不同 Vr，F 时的电容	1.5pF @ 0V，1MHz
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOD-123
供应商器件封装	SOD-123
工作温度 - 结	-65°C ~ 150°C

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CMHD2003

SURFACE MOUNT

HIGH VOLTAGE SILICON

SWITCHING DIODE

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD2003 is a

Silicon Switching Diode, manufactured by the epitaxial

planar process, epoxy molded in a SOD-123 surface

mount package, designed for applications requiring

high voltage capability.

MARKING CODE: C03

SOD-123 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Continuous Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Average Rectified Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp<1.0s (TC=25°C)

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

250

200

625

1.0

400

-65 to +150

312.5

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

trr

VR=200V

VR=200V, TC=100°C

IF=100mA

VR=0, f=1.0MHz

IF=IR=30mA, RL=100Ω, Rec. to 3.0mA

1.5

MAX

100

1.0

UNITS

μA

R5 (5-August 2010)

推荐资源

DK-1型控制盒使用直流电源电磁铁合闸电路

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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