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CMPD3003 TR

产品描述DIODE GEN PURP 180V 200MA SOT23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小717KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPD3003 TR概述

DIODE GEN PURP 180V 200MA SOT23

CMPD3003 TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)180V
电流 - 平均整流(Io)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 200mA
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10nA @ 180V
不同 Vr,F 时的电容4pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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CMPD3003
CMPD3003A
CMPD3003C
CMPD3003S
SURFACE MOUNT
LOW LEAKAGE
SILICON SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD3003 series
types are silicon switching diodes manufactured by the
epitaxial planar process, designed for switching appli-
cations requiring an extremely low leakage diode.
SOT-23 CASE
The following configurations are available:
CMPD3003
SINGLE
CMPD3003A DUAL, COMMON ANODE
CMPD3003C DUAL, COMMON CATHODE
CMPD3003S DUAL, IN SERIES
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Average Forward Current
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0µs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MARKING
MARKING
MARKING
MARKING
SYMBOL
VR
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CODE:
CODE:
CODE:
CODE:
LLO
LLA
LLC
LLS
UNITS
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
180
200
600
700
2.0
1.0
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IR
IR
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
VF
VF
VF
CT
VR=125V
VR=125V, TA=150°C
VR=180V
VR=180V, TA=150°C
IR=5.0µA
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
IF=200mA
IF=300mA
VR=0, f=1.0MHz
200
0.62
0.72
0.80
0.83
0.87
0.90
1.0
3.0
10
5.0
0.72
0.83
0.89
0.93
1.10
1.15
4.0
UNITS
nA
µA
nA
µA
V
V
V
V
V
V
V
pF
R4 (25-January 2010)

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