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JAN1N5616US

产品描述DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小149KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN1N5616US概述

DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

JAN1N5616US规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/427K
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
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