MOSFET N-CH TO263-7
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 240A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 180µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 221nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 17682pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 231W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-3 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |
| IPB240N04S41R0ATMA1 | IPB240N04S4-1R0 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH TO263-7 | N-channel - Enhancement mode |
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