RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.400 INCH, FM-8
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Advanced Semiconductor, Inc. |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
最大漏极电流 (ID) | 6 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F8 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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