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MXLPLAD30KP100A

产品描述TVS DIODE 100V 162V PLAD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小415KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MXLPLAD30KP100A概述

TVS DIODE 100V 162V PLAD

MXLPLAD30KP100A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明PLASTIC PACKAGE-1
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压123 V
最小击穿电压111 V
击穿电压标称值117 V
外壳连接CATHODE
最大钳位电压162 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G1
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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