TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-18
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
基于收集器的最大容量 | 4.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 25 V |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 420 |
JEDEC-95代码 | TO-206AA |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
VCEsat-Max | 0.6 V |
Base Number Matches | 1 |
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