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BC109C

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-18
产品类别晶体管   
文件大小141KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BC109C概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-18

BC109C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)420
JEDEC-95代码TO-206AA
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1 W
最大功率耗散 (Abs)0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.6 V
Base Number Matches1

 
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