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NTE2342

产品描述Silicon Complementary Transistors Darlington Driver
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共2页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
标准
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NTE2342概述

Silicon Complementary Transistors Darlington Driver

NTE2342规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NTE
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

NTE2342相似产品对比

NTE2342 NTE2341
描述 Silicon Complementary Transistors Darlington Driver Silicon Complementary Transistors Darlington Driver
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NTE NTE
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 2000 2000
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz
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