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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1117(T5L,F,T)
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RN1117(T5L,F,T)

产品描述TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小208KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1117(T5L,F,T)概述

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

RN1117(T5L,F,T)规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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RN1114~RN1118
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1114, RN1115, RN1116, RN1117, RN1118
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors.
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN2114 to 2118
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
(kΩ)
1
2.2
4.7
10
47
R
2
(kΩ)
10
10
10
4.7
10
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1114 to 1118
RN1114
RN1115
Emitter-base voltage
RN1116
RN1117
RN1118
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1114 to 1118
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
1994-08
1
2014-03-01

RN1117(T5L,F,T)相似产品对比

RN1117(T5L,F,T) RN1118(T5L,F,T) RN1115,LF(CT RN1116(TE85L,F) RN1117MFV,L3F RN1114(T5L,F,T) RN1115MFV,L3F RN1114MFV,L3F RN1116,LF(CT RN1114(T5LPEW,F)
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
晶体管类型 - NPN - 预偏压 NPN - 预偏压 - NPN - 预偏压 NPN - 预偏压 NPN - 预偏压 NPN - 预偏压 - -
电流 - 集电极（Ic）（最大值） - 100mA 100mA - 100mA 100mA 100mA 100mA - -
电压 - 集射极击穿（最大值） - 50V 50V - 50V 50V 50V 50V - -
电阻器 - 基底（R1） - 47 kOhms 2.2 kOhms - 10 kOhms 1 kOhms 2.2 kOhms 1 kOhms - -
电阻器 - 发射极基底（R2） - 10 kOhms 10 kOhms - 4.7 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms - -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） - 50 @ 10mA，5V 50 @ 10mA，5V - 30 @ 10mA，5V 50 @ 10mA，5V 50 @ 10mA，5V 50 @ 10mA，5V - -
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） - 300mV @ 250µA，5mA 300mV @ 250µA，5mA - 300mV @ 500µA，5mA 300mV @ 250µA，5mA 300mV @ 250µA，5mA 300mV @ 250µA，5mA - -
电流 - 集电极截止（最大值） - 500nA 500nA - 500nA 500nA 500nA 500nA - -
频率 - 跃迁 - 250MHz 250MHz - 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz - -
功率 - 最大值 - 100mW 100mW - 150mW 100mW 150mW 150mW - -
安装类型 - 表面贴装 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 - -
封装/外壳 - SC-75，SOT-416 SC-75，SOT-416 - SOT-723 SC-75，SOT-416 SOT-723 SOT-723 - -
供应商器件封装 - SSM SSM - VESM SSM VESM VESM - -

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