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MS2200

产品描述TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MS2200概述

TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102

MS2200规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明0.400 X 0.500 INCH, HERMETIC SEALED, M102, 4 PIN
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)43.2 A
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MS2200
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS
UHF PULSED APPLICATIONS
Features
500 Watts @ 250
µSec
Pulse Width, 10% Duty Cycle
Refractory Gold Metallization
Emitter Ballasting And Low Resistance For Reliability
and Ruggedness
Infinite VSWR Capability At Specified Operating
Conditions
Input Matched, Common Base Configuration
Balanced Configuration
DESCRIPTION:
The MS2200 is a hermetically sealed, gold metallized silicon NPN
pulse power transistor mounted in a common base balanced
configuration. The MS2200 is designed for applications requiring
high peak power and low duty cycles within the frequency range of
400 – 500 MHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
65
65
3.5
43.2
1167
+200
-65 to +150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Thermal Data
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
0.15
°
C/W
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
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