电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SMCG60A-M3/57T

产品描述TVS DIODE 60V 96V DO215AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

SMCG60A-M3/57T概述

TVS DIODE 60V 96V DO215AB

SMCG60A-M3/57T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-215AB
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压73.7 V
最小击穿电压66.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-215AB
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
SMCG5.0A thru SMCG188CA
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
Low profile package
Ideal for automated placement
Glass passivated chip junction
Available in uni-directional and bi-directional
Excellent clamping capability
Very fast response time
Low incremental surge resistance
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SMCG (DO-215AB)
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
BR
uni-directional
V
BR
bi-directional
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
(uni-directional only)
T
J
max.
Polarity
Package
6.40 V to 231 V
6.40 V to 231 V
5.0 V to 188 V
1500 W
6.5 W
200 A
150 °C
Uni-directional, bi-directional
SMCG (DO-215AB)
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,
computer, industrial, automotive, and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
SMCG (DO-215AB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, industrial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
for uni-directional types the band denotes cathode
end, no marking on bi-directional types
DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS
For bi-directional devices use CA suffix (e.g. SMCG188CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform
(1)(2)
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform
(1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only
(2)
Power dissipation on infinite heatsink, T
A
= 50 °C
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T = 25 °C per fig. 2
A
(2)
Mounted on 0.31" x 0.31" (8.0 mm x 8.0 mm) copper pads to each terminal
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
I
FSM
P
D
T
J
, T
STG
VALUE
1500
See next table
200
6.5
-55 to +150
UNIT
W
A
A
W
°C
Revision: 16-Jan-18
Document Number: 88457
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
调试stm32时运行一条语句后进入硬中断HardFault_Handler
typedef struct _PARA_SET { #if STRING_STORE_USE_ARRAY char name; char alias; char unit; char ......
cheng_bingyuan stm32/stm8
做点什么
马上就要比赛了 该做点什么呢 大家给点意见哈!!!!...
asd1126163471 单片机
华为、中兴的通讯设备中,比如路由器、GPON 、无线基站等,主要使用的什么嵌入式操作系统?
一般是vxworks、linux,还是自己开发的嵌入式操作系统?...
albertzhou 嵌入式系统
关于MSP430复位后的情况
首先IO口是什么状态? 当我配置过PxDIR以后,PxOUT全1还是全0,还是不确定?这个在寄存器里面一会一变。看不明白呀。求高手指点。。。 2013年11月15日 12:30:30 结论得出来了:感谢各位朋友 ......
an736007364 微控制器 MCU
STM32F105使用的时候串口乱码解决方法
昨天调STM32F105的时候,串口老是出现乱码,修改相应的波特率也没有反应。在论坛搜了下帖子STM32F105串口乱码问题楼主问题解决了但是也没有说怎么解决的。 首先确认硬件没有问题,然后我的时钟 ......
cat3902982 stm32/stm8
WinCE6.0下DirectDraw驱动中动态分配内存的问题
问题是这样的, 为了避免内存的浪费,只在config.bib中reserve了比较小的内存供framebuffer使用。 应用程序在申请buffer的时候首先从framebuffer中获取,不够的话驱动动态申请内存供上层使用。 ......
ryg7 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 856  893  2589  2826  1620  18  53  57  33  50 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved