MOSFET DUAL N-CHANNEL
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 860mA（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.56nC(4.5V) |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 200pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 1.65W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | TLM832DS |
| CTLDM8120-M832DS BK | CTLDM8120-M832DS TR | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET DUAL N-CHANNEL | MOSFET DUAL N-CHANNEL |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 860mA（Ta） | 860mA（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.56nC(4.5V) | 3.56nC(4.5V) |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 200pF @ 16V | 200pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 1.65W | 1.65W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | TLM832DS | TLM832DS |
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