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CMPDM203NH BK

产品描述MOSFET N-CH 20V SOT-23F
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小488KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPDM203NH BK概述

MOSFET N-CH 20V SOT-23F

CMPDM203NH BK规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)50 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 4.5V
Vgs(最大值)12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)395pF @ 10V
功率耗散(最大值)350mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23F
封装/外壳SOT-23-3 扁平引线

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CMPDM203NH
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM203NH
is a High Current N-Channel Enhancement-mode
Silicon MOSFET, manufactured by the N-Channel
DMOS Process, and is designed for high speed pulsed
amplifier and driver applications. This MOSFET offers
High Current, Low rDS(ON), Low Threshold Voltage,
and Low Leakage Current.
MARKING CODE: 203C
SOT-23F CASE
APPLICATIONS:
Load/Power switches
Power supply converter circuits
Battery powered portable equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
FEATURES:
Low rDS(ON) (0.07Ω MAX @ VGS=2.5V)
High current (ID=3.2A)
Logic level compatibility
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
20
12
3.2
12.8
350
-55 to +150
357
UNITS
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
I
GSSF, IGSSR
VGS=12V, VDS=0
IDSS
BVDSS
VGS(th)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
Qg(tot)
Qgs
Qgd
ton
toff
VDS=20V, VGS=0
VGS=0, ID=250μA
VGS=VDS, ID=250μA
VGS=4.5V, ID=1.6A
VGS=2.5V, ID=1.6A
VDS=5.0V, ID=3.2A
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=3.2A
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=3.2A
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=3.2A
VDD=10V, ID=3.2A, RG=10Ω
VDD=10V, ID=3.2A, RG=10Ω
20
0.6
0.033
0.046
10.5
44
395
97
6.8
0.8
0.9
6.0
22.8
MAX
10
1.0
1.2
0.05
0.07
UNITS
μA
μA
V
V
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
10
1.2
1.1
nC
nC
nC
ns
ns
R0 (20-October 2010)
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下面那个是测量的运放输出的波形,跟三极管输出的波形,三极管输出的标准的正选波,但是运放输出的波形变形了,是不是这个原因导致PNP的三极管烧坏的呢。...
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