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CMPDM202PH BK

产品描述MOSFET P-CH 20V SOT-23F
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小493KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPDM202PH BK概述

MOSFET P-CH 20V SOT-23F

CMPDM202PH BK规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)88 毫欧 @ 1.2A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12nC @ 5V
Vgs(最大值)12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)800pF @ 10V
功率耗散(最大值)350mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23F
封装/外壳SOT-23-3 扁平引线

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CMPDM202PH
SURFACE MOUNT
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM202PH is
a high current P-channel enhancement-mode silicon
MOSFET, manufactured by the P-channel DMOS
process, and is designed for high speed pulsed
amplifier and driver applications. This MOSFET offers
high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and
low leakage current.
MARKING CODE: 202C
SOT-23F CASE
APPLICATIONS:
Load/Power switches
Power supply converter circuits
Battery powered portable equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
FEATURES:
Low rDS(ON) (0.093Ω MAX @ VGS=2.5V)
High current (ID=2.3A)
Logic level compatibility
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
20
12
2.3
9.2
350
-55 to +150
357
UNITS
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
I
GSSF, IGSSR
VGS=12V, VDS=0
IDSS
BVDSS
VGS(th)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
Qg(tot)
Qgs
Qgd
ton
toff
VDS=20V, VGS=0
VGS=0, ID=250μA
VGS=VDS, ID=250μA
VGS=5.0V, ID=1.2A
VGS=2.5V, ID=1.2A
VDS=5.0V, ID=2.3A
VDD=10V, VGS=0, f=1.0MHz
VDD=10V, VGS=0, f=1.0MHz
VDD=10V, VGS=0, f=1.0MHz
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=2.3A
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=2.3A
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=2.3A
VDD=10V, ID=2.3A, RG=10Ω
VDD=10V, ID=2.3A, RG=10Ω
20
0.6
0.042
0.058
15
85
800
75
8.0
1.3
2.3
25
48
MAX
100
1.0
1.4
0.088
0.093
UNITS
nA
μA
V
V
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
12
2.0
3.5
nC
nC
nC
ns
ns
R1 (11-December 2012)

 
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