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BF823

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
产品类别晶体管   
文件大小65KB,共1页
制造商TDK(株式会社)
官网地址http://www.tdk.com
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BF823概述

Small Signal Bipolar Transistor, 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

BF823规格参数

参数名称属性值
厂商名称TDK(株式会社)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
基于收集器的最大容量1.6 pF
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
VCEsat-Max0.8 V
Base Number Matches1
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