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JANTXV1N4246

产品描述D MET 1A STD 400V
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小83KB,共2页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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JANTXV1N4246概述

D MET 1A STD 400V

JANTXV1N4246规格参数

参数名称属性值
包装说明E-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码E-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/286
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N4245, 1N4246, 1N4247,
1N4248, 1N4249
General Purpose Silicon Rectifiers
POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
R
= 200V - 1000V
I
F
= 1.0A
t
rr
= 2µS
V = 1.2V
F
Features
1 Amp 55°C/no heat sink
Monolithic non-cavity construction
Fused metal oxide hermetic seal
Superior thermal shock resistance
Low thermal impedance
Low reverse leakage
PIV to 1000 volts
These products can be supplied as JAN, JANTX or
JANTXV per MIL-S-19500/286
Electrical Specifications
Electrical specifications: All temperatures are local ambient , 25°C unless otherwise specified.
Device
Types
Reverse
Voltage
Forw ard
Reverse
Instantaneous Repetitive
Current Current (Max)
Forw ard
Surge
(1)
Voltage
Current
Free Air
55°C
I
R
UAdc
V
F
@ I
F
=
1.0Adc
I
FRM
1 Cycle
Surge
Current
tp = 8.3ms
I
FSM
Reverse
Recovery
Time (2)
Trr
µS
Typical
Thermal
Impedance
(3)
θ
J-
L
°C/Watt
d=0
7
7
7
7
7
d = .375
38
38
38
38
38
V
RWM
V
RRM
V
1N4245
1N4246
1N4247
1N4248
1N4249
200
400
600
800
1000
V
200
400
600
800
1000
A
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
25°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
100°C
25
25
25
25
25
V dc
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
A (pk)
10
10
10
10
10
A (pk)
30
30
30
30
30
Max. Typ.
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
Notes:
(1) The 1.0 amp rating @ 55°C requires no heat sinking, special mounting, or forced air across the body of the
device.
(2) Recovery conditions: 0.5 Amp forward current to -1.0 Amp reverse current. Recovery time measured when
rectifier recovers to -.25 Amp.
Storage temperature: -65°C to +175°C.
Revision: May 30, 2007
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