-60V7.7MOHMSINGLE
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 15A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 160nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7700pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| NVMFS5A160PLZT3G | NVMFS5A160PLZT1G | NVMFS5A160PLZWFT3G | NVMFS5A160PLZWFT1G | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | -60V7.7MOHMSINGLE | MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE | -60V7.7MOHMSINGLE | -60V7.7MOHMSINGLE |
| FET 类型 | P 沟道 | - | P 沟道 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | - | 60V | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 15A（Ta），100A（Tc） | - | 15A（Ta），100A（Tc） | 15A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.7 毫欧 @ 50A，10V | - | 7.7 毫欧 @ 50A，10V | 7.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.6V @ 1mA | - | 2.6V @ 1mA | 2.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 160nC @ 10V | - | 160nC @ 10V | 160nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7700pF @ 20V | - | 7700pF @ 20V | 7700pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），200W（Tc） | - | 3.8W（Ta），200W（Tc） | 3.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | - | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | - | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 | - | 8-PowerTDFN，5 引线 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
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