5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
5000 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 2 |
| 元件数量 | 1 |
| 最大击穿电压 | 52.8 V |
| 最小击穿电压 | 47.8 V |
| 加工封装描述 | PLASTIC, P-6, 2 PIN |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | ROUND |
| 包装尺寸 | LONG FORM |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子涂层 | TIN |
| 端子位置 | AXIAL |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 工艺 | AVALANCHE |
| 结构 | SINGLE |
| 壳体连接 | ISOLATED |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 最大功耗极限 | 8 W |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| 最大非重复峰值转速功率 | 5000 W |
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