Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MSRTA200160(A)D

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MSRTA200160(A)D: 产品描述DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小384KB，共3页; 制造商GeneSiC; 官网地址http://www.genesicsemi.com/; 标准

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MSRTA200160(A)D概述

DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

MSRTA200160(A)D规格参数

参数名称	属性值
二极管配置	1 对串联
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1600V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）	200A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 200A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	10µA @ 1600V
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C
安装类型	底座安装
封装/外壳	三塔
供应商器件封装	三塔

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MSRTA200120(A)D thru MSRTA200160(A)D

Silicon Standard

Recovery Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 1200 V to 1600 V V

RRM

• Isolation Type Package

• Electrically Isolated Base Plate

• Not ESD Sensitive

Heavy Three Tower Package

RRM

= 1200 V - 1600 V

F(AV)

= 200 A

Maximum ratings, at T

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Repetitive p

peak reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

Symbol

RRM

stg

Conditions

MSRTA200120(A)D MSRTA200140(A)D MSRTA200160(A)D

1200

-55 to 150

1400

-55 to 150

1600

-55 to 150

Unit

°C

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Average forward current (per

leg)

Peak forward surge current

(per leg)

Maximum instantaneous

forward voltage (per leg)

Maximum instantaneous

reverse current at rated DC

blocking voltage (per leg)

Symbol

F(AV)

FSM

Conditions

= 125 °C

= 8.3 ms, half sine

= 200 A, T

= 25 °C

= 150 °C

MSRTA200120(A)D MSRTA200140(A)D MSRTA200160(A)D

200

3000

1.1

200

3000

1.1

200

3000

1.1

Unit

μA

Thermal characteristics

Maximum thermal resistance,

junction - case (per leg)

Θjc

0.35

°C/W

Feb 2016

Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/

MSRTA200160(A)D相似产品对比

	MSRTA200160(A)D	MSRTA200120(A)D	MSRTA200140(A)D
描述	DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER	DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER	DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
二极管配置	1 对串联	1 对串联	1 对串联
二极管类型	标准	标准	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1600V	1200V	1400V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）	200A	200A	200A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 200A	1.1V @ 200A	1.1V @ 200A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	10µA @ 1600V	10µA @ 1200V	10µA @ 1400V
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C	-55°C ~ 150°C	-55°C ~ 150°C
安装类型	底座安装	底座安装	底座安装
封装/外壳	三塔	三塔	三塔
供应商器件封装	三塔	三塔	三塔

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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