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MBR200150CT

产品描述DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小494KB,共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBR200150CT概述

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

MBR200150CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GeneSiC
包装说明R-PUFM-X2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.88 V
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流1500 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流3000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR200150CT相似产品对比

MBR200150CT INA188_15 MBR200200CT
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER INA188 Precision, Zero-Drift, Rail-to-Rail Out, High-Voltage Instrumentation Amplifier DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 GeneSiC - GeneSiC
包装说明 R-PUFM-X2 - R-PUFM-X2
Reach Compliance Code compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
应用 POWER - POWER
外壳连接 CATHODE - CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.88 V - 0.92 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 - R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 1500 A - 1500 A
元件数量 2 - 2
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
最大输出电流 100 A - 100 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 150 V - 200 V
最大反向电流 3000 µA - 3000 µA
表面贴装 NO - NO
技术 SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
端子位置 UPPER - UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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