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ALD210802SCL

产品描述MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小109KB,共12页
制造商Advanced_Linear_Devices_Inc.
标准
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ALD210802SCL概述

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

ALD210802SCL规格参数

参数名称属性值
FET 类型4 N 沟道,配对
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)10.6V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)80mA
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)20mV @ 10µA
功率 - 最大值500mW
工作温度0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装16-SOIC

ALD210802SCL相似产品对比

ALD210802SCL ALD210802PCL
描述 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
FET 类型 4 N 沟道,配对 4 N 沟道,配对
FET 功能 逻辑电平门 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 10.6V 10.6V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80mA 80mA
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 20mV @ 10µA 20mV @ 10µA
功率 - 最大值 500mW 500mW
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ) 0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型 表面贴装 通孔
封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 16-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 16-SOIC 16-PDIP
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