7.4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 雪崩能效等级（Eas） | 530 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7.4 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 50 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 48 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 29.6 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 520 ns |
| 最大开启时间（吨） | 305 ns |
| 7N60L-TF3-T | 7N60-TA3-T | 7N60-TF3-T | 7N60L-TA3-T | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 7.4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | 7.4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | 7.4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | 7.4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli |
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