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MT41K256M8DA-107 IT:K TR

产品描述IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
产品类别存储   
文件大小16MB,共221页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT41K256M8DA-107 IT:K TR概述

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

MT41K256M8DA-107 IT:K TR规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3L
存储容量2Gb (256M x 8)
时钟频率933MHz
访问时间20ns
存储器接口并联
电压 - 电源1.283 V ~ 1.45 V
工作温度0°C ~ 95°C(TC)
安装类型表面贴装
封装/外壳78-TFBGA
供应商器件封装78-FBGA(8x10.5)

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2Gb: x4, x8, x16 DDR3L SDRAM
Description
DDR3L SDRAM
MT41K512M4 – 64 Meg x 4 x 8 banks
MT41K256M8 – 32 Meg x 8 x 8 banks
MT41K128M16 – 16 Meg x 16 x 8 banks
Description
The 1.35V DDR3L SDRAM device is a low-voltage ver-
sion of the 1.5V DDR3 SDRAM device. Refer to the
DDR3 (1.5V) SDRAM data sheet specifications when
running in 1.5V compatible mode.
Automatic self refresh (ASR)
Write leveling
Multipurpose register
Output driver calibration
Options
• Configuration
– 512 Meg x 4
– 256 Meg x 8
– 128 Meg x 16
• FBGA package (Pb-free) – x4, x8
– 78-ball (8mm x 10.5mm x 1.2mm)
Rev. K
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 96-ball (8mm x 14mm x 1.2mm)
Rev. K
• Timing – cycle time
– 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
– 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
– 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)
– 1.875ns @ CL = 7 (DDR3-1066)
• Operating temperature
– Commercial (0°C
T
C
+95°C)
– Industrial (–40°C
T
C
+95°C)
• Revision
Marking
512M4
256M8
128M16
DA
JT
-107
-125
-15E
-187E
None
IT
:K
Features
V
DD
= V
DDQ
= 1.35V (1.283–1.45V)
Backward-compatible to V
DD
= V
DDQ
= 1.5V ±0.075V
Differential bidirectional data strobe
8n-bit prefetch architecture
Differential clock inputs (CK, CK#)
8 internal banks
Nominal and dynamic on-die termination (ODT)
for data, strobe, and mask signals
Programmable CAS (READ) latency (CL)
Programmable posted CAS additive latency (AL)
Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4
(via the mode register set [MRS])
Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
Self refresh mode
T
C
of 95°C
– 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
– 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C
Self refresh temperature (SRT)
Table 1: Key Timing Parameters
Speed Grade
-107
1, 2, 3
-125
1, 2
-15E
1
-187E
Notes:
Data Rate (MT/s)
1866
1600
1333
1066
Target
t
RCD-
t
RP-CL
13-13-13
11-11-11
9-9-9
7-7-7
t
RCD
(ns)
t
RP
(ns)
CL (ns)
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
1. Backward compatible to 1066, CL = 7 (-187E).
2. Backward compatible to 1333, CL = 9 (-15E).
3. Backward compatible to 1600, CL = 11 (-125).
CCMTD-1725822587-7895
2Gb_DDR3L.pdf - Rev. O 09/18 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2015 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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