IPA65R110CFDXKSA1,IPA65R110CFDXKSA1 pdf中文资料,IPA65R110CFDXKSA1引脚图,IPA65R110CFDXKSA1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IPA65R110CFDXKSA1

IPA65R110CFDXKSA1: 产品描述MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小4MB，共20页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPA65R110CFDXKSA1概述

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220

IPA65R110CFDXKSA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	18 weeks
雪崩能效等级（Eas）	845 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	31.2 A
最大漏极电流 (ID)	31.2 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	34.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	99.6 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IPA65R110CFDXKSA1相似产品对比

	IPA65R110CFDXKSA1	IPP65R110CFDXKSA1	IPI65R110CFDXKSA1	IPW65R110CFD	IPW65R110CFDFKSA2	IPP65R110CFDXKSA2	IPA65R110CFDXKSA2	IPB65R110CFDATMA2
描述	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220	MOSFET HIGH POWER_LEGACY	MOSFET HIGH POWER_LEGACY	漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：31.2A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.3mA 漏源导通电阻：110mΩ @ 12.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：277.8W(Tc) 类型：N沟道	Power Field-Effect Transistor,	Power Field-Effect Transistor,	Power Field-Effect Transistor, TO-220, FULL PACK-3	Power Field-Effect Transistor, TO-263, D2PAK-3
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown	compliant	compliant
雪崩能效等级（Eas）	845 mJ	845 mJ	845 mJ	845 mJ	845 mJ	845 mJ	845 mJ	845 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	650 V	650 V	650 V	650 V	650 V	650 V	650 V	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A
最大漏极电流 (ID)	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A	31.2 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-262AA	TO-247	TO-247	TO-220AB	TO-220AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	IN-LINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	99.6 A	99.6 A	99.6 A	99.6 A	99.6 A	99.6 A	99.6 A	99.6 A
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Factory Lead Time	18 weeks	18 weeks	1 week	-	-	-	18 weeks	18 weeks
最大功率耗散 (Abs)	34.7 W	277.8 W	277.8 W	277.8 W	277.8 W	277.8 W	34.7 W	-

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